Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.55 mΩ Miglioramento, 451 A, 12 Pin, PG-TSON-12, Superficie
- Codice RS:
- 349-390
- Codice costruttore:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 349-390
- Codice costruttore:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 451A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | IQF | |
| Tipo di package | PG-TSON-12 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 12 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.55mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 214W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 118nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 451A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie IQF | ||
Tipo di package PG-TSON-12 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 12 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.55mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 214W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 118nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 40 V è specificamente ottimizzato per le applicazioni di pilotaggio a bassa tensione e per i sistemi alimentati a batteria, rendendolo ideale per i progetti ad alta efficienza energetica. È inoltre ottimizzato per le applicazioni sincrone, garantendo prestazioni migliori. Il MOSFET presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), riducendo al minimo le perdite di conduzione per una maggiore efficienza. Inoltre, è testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga, per garantire prestazioni affidabili anche in condizioni difficili.
Resistenza termica superiore
Canale N
Placcatura senza Pb e conforme a RoHS
Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21
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