Transistor di potenza Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.55 mΩ Miglioramento, 451 A, 12 Pin, PG-TSON-12, Superficie

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Codice RS:
349-390
Codice costruttore:
IQFH55N04NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

451A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PG-TSON-12

Serie

IQF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

118nC

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon da 40 V è specificamente ottimizzato per le applicazioni di pilotaggio a bassa tensione e per i sistemi alimentati a batteria, rendendolo ideale per i progetti ad alta efficienza energetica. È inoltre ottimizzato per le applicazioni sincrone, garantendo prestazioni migliori. Il MOSFET presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), riducendo al minimo le perdite di conduzione per una maggiore efficienza. Inoltre, è testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga, per garantire prestazioni affidabili anche in condizioni difficili.

Resistenza termica superiore

Canale N

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

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