MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 60 V, 0.61 mΩ Miglioramento, 510 A, 12 Pin, PG-TSON-12, Superficie

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

6,66 €

(IVA esclusa)

8,13 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 96,66 €
10 - 994,51 €
100 - 4993,38 €
500 - 9993,25 €
1000 +3,12 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
762-983
Codice costruttore:
IQFH61N06NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

510A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-TSON-12

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.61mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

190nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

8mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1.1mm

Larghezza

6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor OptiMOS 5Power di Infineon, 60 V, è ottimizzato per azionamenti a bassa tensione, alimentazione a batteria e applicazioni di raddrizzamento sincrono. Completamente qualificato in conformità a JEDEC per le applicazioni industriali.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Resistenza termica superiore

Canale N

Placcatura senza piombo, conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.