MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 13 mΩ Miglioramento, 88 A, 8 Pin, PG-TSON-8, Superficie ISC130N20NM6ATMA1

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Codice RS:
349-148
Codice costruttore:
ISC130N20NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

88A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

PG-TSON-8

Serie

ISC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

242W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza OptiMOS 6 Infineon è un MOSFET a canale N, di livello normale, progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni. Il dispositivo presenta una resistenza di accensione molto bassa (RDS(on)), che contribuisce a ridurre al minimo le perdite di conduzione e a migliorare l'efficienza del sistema. Con un eccellente prodotto carica di gate x RDS(on) (FOM), questo transistor garantisce prestazioni di commutazione ottimizzate. Offre inoltre una carica di recupero inversa (Qrr) molto bassa, riducendo le perdite di commutazione e migliorando l'efficienza complessiva nei circuiti a commutazione rapida. Progettato per funzionare a una temperatura di 175 °C, garantisce un'elevata affidabilità in ambienti difficili e offre prestazioni termiche superiori per un funzionamento robusto.

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

MSL 1 classificato secondo la norma J-STD-020

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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