MOSFET Infineon, canale N 200 V, 13 mΩ Miglioramento, 88 A, 8 Pin, PG-TSON-8, Superficie ISC130N20NM6ATMA1

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Codice RS:
349-148
Codice costruttore:
ISC130N20NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

88A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

ISC

Tipo di package

PG-TSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Dissipazione di potenza massima Pd

242W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET Infineon serie ISC, tensione di sorgente di drenaggio 200 V, corrente di drenaggio continua 88 A - ISC130N20NM6ATMA1


Questo MOSFET è un interruttore a canale N ad alta corrente progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperatura adatto per ambienti difficili ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una gestione robusta della tensione e una conduzione efficiente. Il dispositivo è fornito in un pacchetto compatto PG-TSON-8 per il montaggio a livello di scheda ed è conforme agli standard di produzione del settore.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione di drenaggio massima di 200 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 88 A supporta correnti di carico pesanti
• La bassa Rds(on) di 13 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 242 W gestisce un carico termico sostanziale
• La carica di gate tipica di 39 nC consente un'energia di commutazione controllata
• La tolleranza del gate di ±20 V protegge il gate dall'overdrive

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC ad alta potenza nei sistemi industriali
• Ideale per le fasi di potenza dell'azionamento del motore che richiedono una corrente elevata
• Utilizzato con sistemi di gestione della batteria nei dispositivi di accumulo di energia
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Adatto per circuiti inverter a commutazione rapida nell'elettronica di potenza

Quale metodo di montaggio è necessario per l'assemblaggio della scheda?


È progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale utilizzando l'ingombro PG-TSON-8.

Come si comporta a temperature estreme?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, supportando il margine termico in condizioni difficili.

Quali sono gli standard che regolano i materiali e la manipolazione?


La produzione e la manipolazione sono conformi alle disposizioni JEDEC e J-STD-020 e alle restrizioni RoHS.

Quali sono i vincoli del gate-drive che i progettisti devono rispettare?


Il gate deve essere azionato entro ±20 V per evitare di superare i limiti gate-source.

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