1 MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, PG-TSON-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin ISC030N12NM6ATMA1

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Codice RS:
284-782
Codice costruttore:
ISC030N12NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Tipo di package

PG-TSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è uno stato del transistor di potenza ART progettato per le applicazioni di commutazione ad alta frequenza, che vanta prestazioni ed efficienza eccezionali. Questo MOSFET a canale N è ottimizzato per l'uso in varie applicazioni industriali, garantendo l'affidabilità di picco anche in condizioni difficili. Grazie alla bassa resistenza di accensione e alle notevoli caratteristiche di carica di gate, migliora le prestazioni nei sistemi di raddrizzamento sincrono e di conversione di potenza. Il dispositivo funziona in modo efficiente alle alte temperature, rendendolo adatto a una serie di applicazioni in tutti i settori. Il suo contenitore Compact PG TSON 8 3 consente inoltre progettazioni salvaspazio garantendo al contempo prestazioni termiche superiori, il che lo rende una scelta preferita per gli ingegneri che cercano soluzioni di gestione dell'alimentazione di alta qualità.

La bassissima resistenza di accensione riduce al minimo le perdite di potenza

Alta efficienza con eccellente carica di gate

Funzionamento senza problemi in applicazioni ad alta frequenza

Elevato indice di energia da valanga per una maggiore durata

Funziona efficacemente fino a 175°C

Conforme agli standard di sicurezza RoHS

Classificazione MSL 1 per la movimentazione flessibile

Ottimizzato per le prestazioni di raddrizzamento sincrono

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