MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.33 Ω Miglioramento, 7.2 A, 8 Pin, PG-TSON-8, Superficie IGLR65R270D2XUMA1
- Codice RS:
- 351-874
- Codice costruttore:
- IGLR65R270D2XUMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,464 € | 7,32 € |
| 50 - 95 | 1,392 € | 6,96 € |
| 100 - 495 | 1,292 € | 6,46 € |
| 500 - 995 | 1,188 € | 5,94 € |
| 1000 + | 1,14 € | 5,70 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 351-874
- Codice costruttore:
- IGLR65R270D2XUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PG-TSON-8 | |
| Serie | IGLR65 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.33Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 28W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC for Industrial Applications | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PG-TSON-8 | ||
Serie IGLR65 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.33Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 28W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC for Industrial Applications | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il transistor di potenza Infineon GaN consente di aumentare l'efficienza nel funzionamento ad alta frequenza. Come parte della famiglia G5 CoolGaN da 650 V, soddisfa i più elevati standard di qualità, consentendo progetti altamente affidabili con un'efficienza superiore. Alloggiato in un pacchetto ThinPAK raffreddato dal lato inferiore, è adatto alle applicazioni consumer con fattori di forma sottili.
Transistor di potenza e-mode da 650 V
Commutazione ultraveloce
Nessuna carica di recupero inversa
Capacità di conduzione inversa
Bassa carica di gate e bassa carica di uscita
Robustezza di commutazione superiore
Basso valore dinamico di RDS(on)
Elevata robustezza ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Pacchetto raffreddato sul lato inferiore
Qualificato JEDEC (JESD47, JESD22)