MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.33 Ω Miglioramento, 7.2 A, 8 Pin, PG-TSON-8, Superficie IGLR65R270D2XUMA1

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Codice RS:
351-874
Codice costruttore:
IGLR65R270D2XUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IGLR65

Tipo di package

PG-TSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.33Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

28W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza Infineon GaN consente di aumentare l'efficienza nel funzionamento ad alta frequenza. Come parte della famiglia G5 CoolGaN da 650 V, soddisfa i più elevati standard di qualità, consentendo progetti altamente affidabili con un'efficienza superiore. Alloggiato in un pacchetto ThinPAK raffreddato dal lato inferiore, è adatto alle applicazioni consumer con fattori di forma sottili.

Transistor di potenza e-mode da 650 V

Commutazione ultraveloce

Nessuna carica di recupero inversa

Capacità di conduzione inversa

Bassa carica di gate e bassa carica di uscita

Robustezza di commutazione superiore

Basso valore dinamico di RDS(on)

Elevata robustezza ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Pacchetto raffreddato sul lato inferiore

Qualificato JEDEC (JESD47, JESD22)

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