MOSFET singoli Infineon, canale Tipo N 650 V, 55 mΩ Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PG-TSON-8, Superficie IGL65R055D2XUMA1
- Codice RS:
- 690-442
- Codice costruttore:
- IGL65R055D2XUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Immagine rappresentativa della gamma
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
10,07 €
(IVA esclusa)
12,286 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 2976 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,035 € | 10,07 € |
| 20 - 98 | 4,08 € | 8,16 € |
| 100 - 198 | 3,12 € | 6,24 € |
| 200 + | 2,50 € | 5,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 690-442
- Codice costruttore:
- IGL65R055D2XUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Normative
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | CoolGaN G5 | |
| Tipo di package | PG-TSON-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 55mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | ISO 128-30, RoHS | |
| Larghezza | 10.1 mm | |
| Lunghezza | 15.20mm | |
| Altezza | 2.35mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie CoolGaN G5 | ||
Tipo di package PG-TSON-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 55mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni ISO 128-30, RoHS | ||
Larghezza 10.1 mm | ||
Lunghezza 15.20mm | ||
Altezza 2.35mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- AT
Link consigliati
- MOSFET Infineon 0.33 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie IGLR65R270D2XUMA1
- MOSFET Infineon 0.17 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie IGLR65R140D2XUMA1
- MOSFET Infineon 0.24 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie IGLR65R200D2XUMA1
- MOSFET singoli Infineon 110 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IGL65R110D2XUMA1
- MOSFET singoli Infineon 140 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IGL65R140D2XUMA1
- MOSFET singoli Infineon 80 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IGL65R080D2XUMA1
- 1 MOSFET Infineon PG-TSON-8 8 Pin ISC030N12NM6ATMA1
- MOSFET Infineon 4.6 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IQE046N08LM5ATMA1
