MOSFET singoli Infineon, canale N 650 V, 55 mΩ Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PG-TSON-8, Superficie IGL65R055D2XUMA1

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Codice RS:
690-442
Codice costruttore:
IGL65R055D2XUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-TSON-8

Serie

CoolGaN G5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

ISO 128-30, RoHS

Larghezza

10.1mm

Altezza

2.35mm

Lunghezza

15.2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
AT

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