MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.24 Ω Miglioramento, 9.2 A, 8 Pin, PG-TSON-8, Superficie IGLR65R200D2XUMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

12,78 €

(IVA esclusa)

15,59 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 5000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,556 €12,78 €
50 - 952,424 €12,12 €
100 - 4952,252 €11,26 €
500 - 9952,072 €10,36 €
1000 +1,992 €9,96 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
351-877
Codice costruttore:
IGLR65R200D2XUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IGLR65

Tipo di package

PG-TSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.24Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.26nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

34W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza Infineon GaN consente di aumentare l'efficienza nel funzionamento ad alta frequenza. Come parte della famiglia G5 CoolGaN da 650 V, soddisfa i più elevati standard di qualità, consentendo progetti altamente affidabili con un'efficienza superiore. Alloggiato in un pacchetto ThinPAK raffreddato dal lato inferiore, è adatto alle applicazioni consumer con fattori di forma sottili.

Transistor di potenza e-mode da 650 V

Commutazione ultraveloce

Nessuna carica di recupero inversa

Capacità di conduzione inversa

Bassa carica di gate, bassa carica di uscita

Robustezza di commutazione superiore

Basso valore dinamico di RDS(on)

Elevata robustezza ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Pacchetto raffreddato sul lato inferiore

Qualificato JEDEC (JESD47, JESD22)

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.