MOSFET Infineon, canale N 650 V, 0.24 Ω Miglioramento, 9.2 A, 8 Pin, PG-TSON-8, Superficie IGLR65R200D2XUMA1

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Codice RS:
351-877
Codice costruttore:
IGLR65R200D2XUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-TSON-8

Serie

IGLR65

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.24Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

34W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.26nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza Infineon GaN consente di aumentare l'efficienza nel funzionamento ad alta frequenza. Come parte della famiglia G5 CoolGaN da 650 V, soddisfa i più elevati standard di qualità, consentendo progetti altamente affidabili con un'efficienza superiore. Alloggiato in un pacchetto ThinPAK raffreddato dal lato inferiore, è adatto alle applicazioni consumer con fattori di forma sottili.

Transistor di potenza e-mode da 650 V

Commutazione ultraveloce

Nessuna carica di recupero inversa

Capacità di conduzione inversa

Bassa carica di gate, bassa carica di uscita

Robustezza di commutazione superiore

Basso valore dinamico di RDS(on)

Elevata robustezza ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Pacchetto raffreddato sul lato inferiore

Qualificato JEDEC (JESD47, JESD22)

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