MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 0.17 Ω Miglioramento, 13 A, 8 Pin, PG-TSON-8, Superficie IGLR65R140D2XUMA1

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Codice RS:
351-876
Codice costruttore:
IGLR65R140D2XUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PG-TSON-8

Serie

IGLR65

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.17Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Dissipazione di potenza massima Pd

47W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC for Industrial Applications

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il transistor di potenza Infineon GaN consente di aumentare l'efficienza nel funzionamento ad alta frequenza. Come parte della famiglia G5 CoolGaN da 650 V, soddisfa i più elevati standard di qualità, consentendo progetti altamente affidabili con un'efficienza superiore. Alloggiato in un pacchetto ThinPAK raffreddato dal lato inferiore, è adatto ad applicazioni consumer e industriali con fattori di forma sottili.

Transistor di potenza e-mode da 650 V

Commutazione ultraveloce

Nessuna carica di recupero inversa

Capacità di conduzione inversa

Bassa carica di gate, bassa carica di uscita

Robustezza di commutazione superiore

Basso valore dinamico di RDS(on)

Elevata robustezza ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Pacchetto raffreddato sul lato inferiore

Qualificato JEDEC (JESD47, JESD22)

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