MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 99 A, 8 Pin, PG-TSON-8, Superficie IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Codice RS:
- 284-751
- Codice costruttore:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 6000 unità*
9966,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 6000 + | 1,661 € | 9.966,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 284-751
- Codice costruttore:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 99A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo di package | PG-TSON-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 99A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo di package PG-TSON-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza progettato per garantire elevate prestazioni negli alimentatori a commutazione, assicurando affidabilità nelle applicazioni più complesse. Progettato all'interno della serie OptiMOS 5, offre un'eccezionale efficienza e una bassa resistenza all'accensione, il che lo rende una scelta ideale per la rettifica sincrona. Grazie alla sua struttura priva di Pb e conforme alla direttiva RoHS, il prodotto non solo soddisfa i più recenti standard ambientali, ma assicura anche prestazioni robuste in condizioni diverse. Questo transistor è dotato di gestione termica avanzata ed è in grado di resistere a valanghe, garantendo un funzionamento più sicuro e una maggiore durata in ambienti critici. La sua capacità di pilotaggio a livello logico consente una perfetta integrazione in un'ampia gamma di sistemi elettronici, a ulteriore dimostrazione della sua versatilità e stabilità di prestazioni.
Ottimizzato per la conversione di potenza ad alta efficienza
Bassa resistenza per prestazioni migliori
Design privo di Pb per la conformità ambientale
Testato contro le valanghe per una maggiore affidabilità
Il pilotaggio a livello logico semplifica l'interfacciamento a bassa tensione
Resistenza termica per una gestione efficiente del calore
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