MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 99 A, 8 Pin, PG-WHSON-8, Superficie IQE046N08LM5SCATMA1
- Codice RS:
- 284-767
- Codice costruttore:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 6000 unità*
10.464,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 6000 + | 1,744 € | 10.464,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 284-767
- Codice costruttore:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 99A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 99A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon con transistor di potenza OptiMOS 5 è progettato per offrire prestazioni e affidabilità eccezionali in applicazioni ad alta efficienza. Costruito per la rettifica sincrona negli alimentatori switching, questo innovativo MOSFET integra funzioni avanzate di gestione termica per garantire una dissipazione del calore superiore. Sfruttando una configurazione di canale N a livello logico con una resistenza di accensione estremamente bassa, garantisce un funzionamento efficiente anche a temperature elevate. Questo componente soddisfa i rigorosi standard industriali e offre una robusta protezione dalle valanghe, rappresentando una scelta privilegiata per le applicazioni industriali che richiedono un'elevata gestione della corrente e una resistenza ambientale.
Ottimizzato per la commutazione ad alte prestazioni
La bassa resistenza all'accensione migliora l'efficienza energetica
Prestazioni termiche robuste per una lunga durata
Testato contro le valanghe per garantire l'affidabilità
La placcatura al piombo senza Pb soddisfa gli standard RoHS
Senza alogeni per una conformità ecologica
Ideale per le applicazioni industriali più severe
Pacchetto compatto per una facile integrazione
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