MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 2.2 mΩ Miglioramento, 151 A, 8 Pin, PG-WHSON-8, Superficie IQE022N06LM5SCATMA1

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Codice RS:
284-754
Codice costruttore:
IQE022N06LM5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

151A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-WHSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS 5, un MOSFET altamente efficiente progettato per soddisfare le esigenze delle applicazioni avanzate di gestione dell'alimentazione. Con una capacità di dissipazione della potenza che gli consente di operare in modo affidabile in condizioni di forte intensità, questo transistor di potenza garantisce un'efficienza e una gestione termica ottimali. La sua struttura priva di Pb e conforme alla RoHS ne conferma l'utilizzabilità in applicazioni eco-sensibili, mentre l'assenza di alogeni ne aumenta l'adattabilità in vari settori. Completamente qualificato secondo gli standard JEDEC per le applicazioni industriali, è un componente affidabile per gli ingegneri che cercano soluzioni affidabili e ad alte prestazioni.

Ottimizzato per la gestione dell'energia

Supporta il raddrizzamento sincrono negli SMPS

Canale N con compatibilità a livello logico

Resistenza molto bassa per le prestazioni termiche

Resistenza termica superiore per garantire l'affidabilità

100% testato in valanga per garantire il funzionamento

Conforme alle normative ambientali

Validazione completa per uso industriale

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