MOSFET Infineon, canale N 150 V, 6.32 mΩ Miglioramento, 151 A, 8 Pin, PG-WHSON-8, Superficie IQD063N15NM5SCATMA1

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Codice RS:
351-914
Codice costruttore:
IQD063N15NM5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

151A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PG-WHSON-8

Serie

IQD0

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.32mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC, Halogen‐Free According to IEC61249‐2‐21

Larghezza

6mm

Altezza

750μm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza Infineon è dotato di un basso valore di RDS(on) pari a 6,32 mOhm unito a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza. Inoltre, con il pacchetto di raffreddamento a doppio lato è possibile dissipare una potenza cinque volte superiore rispetto al pacchetto sovrastampato. Ciò consente di aumentare l'efficienza del sistema e la densità di potenza per un'ampia gamma di applicazioni finali.

Tecnologia al silicio da 150 V all'avanguardia

FOM in sospeso

Migliori prestazioni termiche

Bassissimo valore di induttanza parassita

Rapporto chip o pacchetto massimizzato

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