MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 6.32 mΩ Miglioramento, 151 A, 9 Pin, PG-WHTFN-9, Superficie IQD063N15NM5CGSCATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

12,38 €

(IVA esclusa)

15,10 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 22 luglio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 186,19 €12,38 €
20 - 1985,575 €11,15 €
200 - 9985,14 €10,28 €
1000 - 19984,77 €9,54 €
2000 +4,27 €8,54 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
351-911
Codice costruttore:
IQD063N15NM5CGSCATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

151A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PG-WHTFN-9

Serie

IQD0

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.32mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.83V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Altezza

0.75mm

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza Infineon è dotato di un basso valore di RDS(on) pari a 6,32 mOhm unito a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza. L'ingombro del center-gate è ottimizzato per la parallelizzazione. Inoltre, con il pacchetto di raffreddamento a doppio lato è possibile dissipare una potenza cinque volte superiore rispetto al pacchetto sovrastampato. Ciò consente di aumentare l'efficienza del sistema e la densità di potenza per un'ampia gamma di applicazioni finali.

Tecnologia al silicio da 150 V all'avanguardia

FOM in sospeso

Migliori prestazioni termiche

Bassissimo valore di induttanza parassita

Rapporto chip o pacchetto massimizzato

Ingombro del center-gate

Pacchetto standard del settore

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.