MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 6.32 mΩ Miglioramento, 151 A, 9 Pin, PG-WHTFN-9, Superficie IQD063N15NM5CGSCATMA1

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Codice RS:
351-911
Codice costruttore:
IQD063N15NM5CGSCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

151A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

IQD0

Tipo di package

PG-WHTFN-9

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.32mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.83V

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Altezza

0.75mm

Larghezza

6 mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza Infineon è dotato di un basso valore di RDS(on) pari a 6,32 mOhm unito a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza. L'ingombro del center-gate è ottimizzato per la parallelizzazione. Inoltre, con il pacchetto di raffreddamento a doppio lato è possibile dissipare una potenza cinque volte superiore rispetto al pacchetto sovrastampato. Ciò consente di aumentare l'efficienza del sistema e la densità di potenza per un'ampia gamma di applicazioni finali.

Tecnologia al silicio da 150 V all'avanguardia

FOM in sospeso

Migliori prestazioni termiche

Bassissimo valore di induttanza parassita

Rapporto chip o pacchetto massimizzato

Ingombro del center-gate

Pacchetto standard del settore

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