MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V Miglioramento, 205 A, 9 Pin, WHTFN, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 6000 unità*

5022,00 €

(IVA esclusa)

6126,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 6000 unità in spedizione dal 13 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
6000 +0,837 €5.022,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
260-1076
Codice costruttore:
IQE013N04LM6CGSCATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

205A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IQE

Tipo di package

WHTFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET Infineon consentono di collegare il potenziale di sorgente al circuito stampato tramite il tampone termico che offre diversi vantaggi, come ad esempio una maggiore capacità termica, una densità di potenza avanzata o migliori possibilità di layout. È inoltre dotato di requisiti di raffreddamento attivo ridotti e di un layout efficace per la gestione termica che offre vantaggi a livello di sistema.

Consente la massima densità di potenza e prestazioni

Prestazioni termiche superiori

Possibilità di layout ottimizzate

Link consigliati