MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.35 mΩ Miglioramento, 205 A, 9 Pin, WHTFN, Superficie

Codice RS:: 260-1076
Codice costruttore:: IQE013N04LM6CGSCATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.35 mΩ Miglioramento, 205 A, 9 Pin, WHTFN, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 6000 unità*

6858,00 €

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Codice RS:: 260-1076
Codice costruttore:: IQE013N04LM6CGSCATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	205A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Serie	IQE
	Tipo di package	WHTFN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	9
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.35mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1V
	Temperatura massima di funzionamento	+175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 205A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Serie IQE
	Tipo di package WHTFN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 9
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.35mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1V
	Temperatura massima di funzionamento +175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IQE013N04LM6CGSCATMA1

MOSFET Infineon serie IQE, tensione massima drain-source 40 V, corrente di drenaggio continua massima 205 A - IQE013N04LM6CGSCATMA1

Questo MOSFET di potenziamento a canale n è un dispositivo di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente in assemblaggi compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperature per ambienti difficili e fornisce una bassa resistenza in stato attivo per una conversione di potenza efficiente. Il dispositivo è fornito in un contenitore WHTFN con più pin per supportare la gestione termica e della corrente in layout densi.

Caratteristiche e vantaggi:

• Rds(on) di 1.35 mΩ riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza
• La corrente continua 205 A supporta la commutazione di potenza per carichi pesanti
• La tensione drain-source di 40 V consente l'uso di sistemi a media tensione
• La tensione diretta di 1 V riduce le perdite nei percorsi di conduzione dei diodi
• Il funzionamento da -55 °C a +175 °C prolunga l'uso a temperature estreme

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC nei sistemi di gestione dell'alimentazione
• Ideale per le fasi di azionamento del motore ad alta corrente nei moduli compatti
• Utilizzato con array di distribuzione dell'alimentazione che richiedono una bassa resistenza
• Può essere utilizzato per la protezione della batteria e la commutazione ad alta corrente

Quale tipo di contenitore utilizza e perché è rilevante?

È fornito in un contenitore WHTFN che facilita l'assemblaggio a montaggio superficiale e supporta la dissipazione termica attraverso più pin.

In che modo la configurazione dei canali influisce sulla commutazione?

Il dispositivo utilizza una modalità di potenziamento a canale n, che consente la commutazione low-side con bassi requisiti di gate-drive per un controllo efficiente.

È progettato per la conformità agli standard automobilistici?

Non è specificato come conforme alle norme automobilistiche e deve essere valutato per l'uso su veicoli di conseguenza.