MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2.05 mΩ Miglioramento, 276 A, 9 Pin, PG-WHTFN-9, Superficie IQD020N10NM5CGSCATMA1

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Codice RS:
351-909
Codice costruttore:
IQD020N10NM5CGSCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

276A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IQD0

Tipo di package

PG-WHTFN-9

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.05mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

107nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

0.75mm

Lunghezza

5mm

Larghezza

6mm

Standard/Approvazioni

RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza Infineon è dotato di un basso valore di RDS(on) pari a 2,05 mOhm unito a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza. L'ingombro del center-gate è ottimizzato per la parallelizzazione. Inoltre, con il pacchetto di raffreddamento a doppio lato è possibile dissipare una potenza cinque volte superiore rispetto al pacchetto sovrastampato. Ciò consente di aumentare l'efficienza del sistema e la densità di potenza per un'ampia gamma di applicazioni finali.

Tecnologia al silicio da 100 V all'avanguardia

FOM in sospeso

Migliori prestazioni termiche

Bassissimo valore di induttanza parassita

Rapporto chip o pacchetto massimizzato

Ingombro del center-gate

Pacchetto standard del settore

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