MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 132 A, 9 Pin, PG-WHTFN-9, Superficie IQE030N06NM5CGSCATMA1

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Codice RS:
284-757
Codice costruttore:
IQE030N06NM5CGSCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

132A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-WHTFN-9

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di Infineon è un transistor di potenza che esemplifica la tecnologia e le prestazioni all'avanguardia, progettato per un funzionamento efficiente nelle applicazioni più esigenti. Ottimizzato per la rettifica sincrona, garantisce una gestione termica e un'affidabilità superiori, il che lo rende una scelta ideale per vari usi industriali. Costruito attorno alla piattaforma OptiMOS 5, è progettato per funzionare in modo efficace entro una gamma di 60 V mantenendo al contempo un ingombro compatto. Il suo design robusto facilita una commutazione efficiente, garantendo prestazioni elevate e riducendo al minimo le perdite.

Resistenza termica superiore per garantire l'affidabilità

Placcatura senza Pb per la conformità ambientale

100% di test a valanga per garantire le prestazioni

Carica di gate eccezionale per un'efficienza di commutazione

Conforme agli standard di assenza di alogeni

Ideale per applicazioni industriali rigorose

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