MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 132 A, 9 Pin, PG-WHTFN-9, Superficie IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Codice RS:
- 284-757
- Codice costruttore:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 6000 unità*
7704,00 €
(IVA esclusa)
9396,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 02 dicembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 6000 + | 1,284 € | 7.704,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 284-757
- Codice costruttore:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 132A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo di package | PG-WHTFN-9 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 9 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 39nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 132A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo di package PG-WHTFN-9 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 9 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 39nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di Infineon è un transistor di potenza che esemplifica la tecnologia e le prestazioni all'avanguardia, progettato per un funzionamento efficiente nelle applicazioni più esigenti. Ottimizzato per la rettifica sincrona, garantisce una gestione termica e un'affidabilità superiori, il che lo rende una scelta ideale per vari usi industriali. Costruito attorno alla piattaforma OptiMOS 5, è progettato per funzionare in modo efficace entro una gamma di 60 V mantenendo al contempo un ingombro compatto. Il suo design robusto facilita una commutazione efficiente, garantendo prestazioni elevate e riducendo al minimo le perdite.
Resistenza termica superiore per garantire l'affidabilità
Placcatura senza Pb per la conformità ambientale
100% di test a valanga per garantire le prestazioni
Carica di gate eccezionale per un'efficienza di commutazione
Conforme agli standard di assenza di alogeni
Ideale per applicazioni industriali rigorose
Link consigliati
- MOSFET Infineon 3 mΩ Miglioramento 9 Pin Superficie IQE030N06NM5CGSCATMA1
- MOSFET Infineon 6.32 mΩ Miglioramento 9 Pin Superficie IQD063N15NM5CGSCATMA1
- MOSFET Infineon 2.05 mΩ Miglioramento 9 Pin Superficie IQD020N10NM5CGSCATMA1
- MOSFET Infineon 5.0 mΩ Miglioramento 9 Pin Superficie IQE050N08NM5CGSCATMA1
- MOSFET Infineon 4.6 mΩ Miglioramento 9 Pin Superficie IQE046N08LM5CGSCATMA1
- MOSFET di potenza Infineon 3.15 mΩ Miglioramento 9 Pin Superficie
- MOSFET Infineon Tipo N 700 A Miglioramento Superficie, 9 Pin
- MOSFET Infineon Tipo N 447 A Miglioramento Superficie, 9 Pin