MOSFET Infineon, canale Tipo N, Tipo N, 0.35 mΩ 30 V, 700 A Miglioramento, PG-WHTFN-9, Superficie, Montaggio
- Codice RS:
- 348-875
- Codice costruttore:
- IQDH35N03LM5CGSCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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8,72 €
(IVA esclusa)
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,36 € | 8,72 € |
| 20 - 198 | 3,93 € | 7,86 € |
| 200 - 998 | 3,62 € | 7,24 € |
| 1000 - 1998 | 3,365 € | 6,73 € |
| 2000 + | 3,01 € | 6,02 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 348-875
- Codice costruttore:
- IQDH35N03LM5CGSCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 700A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo montaggio | Superficie, Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 9 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.35mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 278W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 700A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PG-WHTFN-9 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo montaggio Superficie, Montaggio superficiale | ||
Numero pin 9 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.35mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 278W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET Infineon è dotato di un basso valore di RDS(on) pari a 0,35 mOhm unito a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza. L'ingombro del Centre-Gate è ottimizzato per la parallelizzazione.
Perdite di conduzione ridotte al minimo
Commutazione rapida
Riduzione della sovra-estensione di tensione