MOSFET Infineon, canale Tipo N, Tipo N, 0.35 mΩ 30 V, 700 A Miglioramento, PG-WHTFN-9, Superficie, 9 Pin

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Codice RS:
348-875
Codice costruttore:
IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

700A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PG-WHTFN-9

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET Infineon è dotato di un basso valore di RDS(on) pari a 0,35 mOhm unito a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza. L'ingombro del Centre-Gate è ottimizzato per la parallelizzazione.

Perdite di conduzione ridotte al minimo

Commutazione rapida

Riduzione della sovra-estensione di tensione

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