MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 5.0 mΩ Miglioramento, 99 A, 9 Pin, PG-WHTFN-9, Superficie IQE050N08NM5CGSCATMA1

Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza che rappresenta una scelta esemplare per le applicazioni che richiedono alta efficienza e affidabilità. Ottimizzato per il raddrizzamento sincrono, questo dispositivo a canale N fa parte della serie OptiMOS 5, rinomata per le sue robuste prestazioni termiche e la bassa resistenza di accensione. Il dispositivo funziona efficacemente con tensioni fino a 80 V, rendendolo adatto a un'ampia gamma di applicazioni industriali. Con caratteristiche quali il test al 100% delle valanghe e un design privo di Pb conforme agli standard RoHS, questo prodotto incarna sia la sicurezza che la sostenibilità nel suo processo di produzione. Il suo ingombro ridotto e le sue alte prestazioni si manifestano nel design avanzato che garantisce caratteristiche termiche superiori, presentando un'opzione eccellente per i progettisti che mirano a migliorare l'efficienza complessiva del sistema.

Ottimizzato per il raddrizzamento sincrono