MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2.05 mΩ Miglioramento, 276 A, 8 Pin, PG-WHSON-8, Superficie IQD020N10NM5SCATMA1

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Codice RS:
351-912
Codice costruttore:
IQD020N10NM5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

276A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PG-WHSON-8

Serie

IQD0

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.05mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

107nC

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Larghezza

6 mm

Altezza

0.75mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza Infineon è dotato di un basso valore di RDS(on) pari a 2,05 mOhm unito a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza. Inoltre, con il pacchetto di raffreddamento a doppio lato è possibile dissipare una potenza cinque volte superiore rispetto al pacchetto sovrastampato. Ciò consente di aumentare l'efficienza del sistema e la densità di potenza per un'ampia gamma di applicazioni finali.

Tecnologia al silicio da 100 V all'avanguardia

FOM in sospeso

Migliori prestazioni termiche

Bassissimo valore di induttanza parassita

Rapporto chip o pacchetto massimizzato

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