MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 0.29 mΩ Miglioramento, 789 A, 8 Pin, PG-WHSON-8, Superficie IQDH29NE2LM5SCATMA1

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Codice RS:
348-884
Codice costruttore:
IQDH29NE2LM5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

789A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

OptiMOS 5

Tipo di package

PG-WHSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.29mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±16 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza Infineon presenta il valore di RDS(ON) più basso del settore, pari a 0,29 mOhm, abbinato a prestazioni termiche eccezionali per una facile gestione delle perdite di potenza.

Perdite di conduzione ridotte al minimo

Commutazione rapida

Riduzione della sovra-estensione di tensione

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