MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 0.29 mΩ Miglioramento, 789 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Superficie IQDH29NE2LM5CGATMA1

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Codice RS:
284-939
Codice costruttore:
IQDH29NE2LM5CGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

789A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.29mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza optimos 5, progettato per offrire prestazioni eccezionali in varie applicazioni industriali. Questo transistor a canale N all'avanguardia funziona a una tensione massima di 25 V, offrendo una bassa resistenza di accensione e una migliore gestione termica. L'impressionante capacità di corrente di drenaggio continua di 789A gli consente di funzionare in modo efficiente anche in condizioni rigorose. Costruito per essere affidabile, è completamente qualificato secondo gli standard JEDEC e garantisce longevità e resistenza nell'uso quotidiano.

Resistenza termica avanzata per una maggiore durata

La corrente di drenaggio a tensione di gate zero riduce al minimo lo spreco di energia

Gestione robusta dell'energia delle valanghe per l'affidabilità

Privo di Pb e conforme alla normativa RoHS per un maggiore rispetto dell'ambiente

Ottimizzato per applicazioni a livello logico

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