MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.45 mΩ Miglioramento, 637 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Superficie IQDH45N04LM6CGATMA1
- Codice RS:
- 285-038
- Codice costruttore:
- IQDH45N04LM6CGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 2,352 € | 11.760,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 285-038
- Codice costruttore:
- IQDH45N04LM6CGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 637A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo di package | PG-TTFN-9 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 9 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.45mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 333W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 637A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo di package PG-TTFN-9 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 9 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.45mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 333W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza avanzato che eccelle nelle applicazioni ad alte prestazioni, offrendo un'eccezionale efficienza e affidabilità. Progettato nell'ambito della serie OptiMOS 6, presenta caratteristiche elettriche impressionanti, stabilendo un nuovo standard per la tecnologia MOSFET. Grazie al test a valanga al 100%, gli utenti possono fidarsi della sua robustezza, sia che venga utilizzato in applicazioni di gestione dell'alimentazione che di controllo del motore. Inoltre, la conformità alla direttiva RoHS e l'assenza di alogeni garantiscono il rispetto di rigorosi standard ambientali, rendendolo una scelta intelligente per i progetti eco-compatibili.
Progettazione a canale N per applicazioni a livello logico
Eccezionale resistenza termica per la dissipazione del calore
Progettato per un'efficienza di commutazione rapida
Valanga valutata per l'affidabilità sotto sforzo
Privo di Pb e conforme alla normativa RoHS per un maggiore rispetto dell'ambiente
La costruzione senza alogeni soddisfa gli standard di sicurezza
Certificazione JEDEC per prestazioni industriali
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