MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 2.2 mΩ Miglioramento, 151 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Superficie IQE022N06LM5CGATMA1

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Codice RS:
284-950
Codice costruttore:
IQE022N06LM5CGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

151A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-TTFN-9

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza ad alte prestazioni progettato per le applicazioni di gestione dell'alimentazione più impegnative. Presenta la tecnologia Advanced OptiMOS 5, ottimizzata per la rettifica sincrona negli alimentatori switched mode. Il design innovativo garantisce una resistenza molto bassa all'accensione, offrendo caratteristiche termiche superiori che migliorano l'affidabilità e l'efficienza. Questo prodotto, con una tensione nominale di 60 V, è particolarmente adatto per le applicazioni industriali grazie ai suoi robusti test contro le valanghe e alla conformità agli standard RoHS. Con il suo design a canale N di livello logico, semplifica l'integrazione nel circuito mantenendo al contempo prestazioni operative eccezionali.

Ottimizzato per la conversione di potenza ad alta efficienza

Canale N di livello logico per un facile interfacciamento

100% testato in valanga per l'affidabilità

Soluzione conforme alla direttiva RoHS per la sicurezza ambientale

Privo di alogeni e compatibile con gli standard di sostenibilità

Convalida JEDEC per applicazioni industriali

La gestione termica superiore prolunga la durata

Elevata corrente di scarico continua per carichi impegnativi

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