MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 0.29 mΩ Miglioramento, 789 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Superficie IQDH35N03LM5CGATMA1

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Codice RS:
284-941
Codice costruttore:
IQDH35N03LM5CGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

789A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-TTFN-9

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.29mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS 5 che esemplifica la tecnologia all'avanguardia nelle prestazioni del MOSFET, progettato principalmente per applicazioni di commutazione ad alta efficienza. Questo transistor funziona a una tensione di 25 V ed è stato progettato per garantire una gestione termica senza pari e una bassa resistenza di accensione, assicurando un'efficienza superiore negli ambienti più difficili. Realizzato con materiali avanzati e aderente ai più elevati standard industriali, si distingue per la sua capacità di gestire carichi di corrente elevati mantenendo al contempo una bassa perdita di energia. Il design esclusivo supporta una robusta resistenza termica, facilitando l'efficace dissipazione del calore, anche in layout compatti.

Tecnologia a canale N per una commutazione rapida

La bassa resistenza riduce le perdite di energia

Resistenza termica superiore per garantire l'affidabilità

Completamente qualificato per la durata industriale

Testato contro le valanghe per garantire prestazioni costanti

La placcatura senza Pb favorisce la sostenibilità

La costruzione senza alogeni soddisfa gli standard di sicurezza

Design compatto per una facile integrazione

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