MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2.05 mΩ Miglioramento, 273 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Superficie IQD020N10NM5CGATMA1

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS 5, che rappresenta un significativo progresso nella tecnologia MOSFET, pensato per le applicazioni industriali più esigenti. Questo robusto transistor è progettato per fornire prestazioni eccezionali con una gestione termica superiore, il che lo rende una scelta ideale per i sistemi che richiedono una conversione e una gestione dell'energia efficienti. Con una tensione nominale di 100 V e un'impressionante bassa resistenza di accensione, questo prodotto offre una maggiore capacità di gestione della potenza mantenendo basse le perdite di energia. Le sue prestazioni affidabili sono inoltre supportate da un'ampia validazione, che ne garantisce il funzionamento in varie condizioni operative.

Progettazione del canale N per una commutazione efficiente