MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 1.57 mΩ Miglioramento, 323 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Superficie IQD016N08NM5CGATMA1

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS 5 progettato per fornire prestazioni eccezionali con il suo design avanzato di canale N. Questo robusto componente è ideale per le applicazioni in cui sono fondamentali un'elevata efficienza e una bassa resistenza di accensione. Funzionante con una tensione di rottura di 80 V, garantisce un funzionamento affidabile in ambienti difficili. Grazie a un profilo di resistenza termica superiore, questo transistor di potenza è in grado di resistere ai rigori delle applicazioni industriali e rappresenta la soluzione ideale per gli ingegneri che desiderano migliorare l'efficienza energetica dei sistemi di gestione dell'alimentazione. Inoltre, l'ampio processo di validazione garantisce il rispetto dei più elevati standard di affidabilità e sicurezza, assicurando che i vostri progetti siano performanti e resistenti.

Canale N per una conduzione efficiente della potenza