MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.45 mΩ Miglioramento, 637 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Superficie IQDH45N04LM6CGATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
285-039
Codice costruttore:
IQDH45N04LM6CGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

637A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-TTFN-9

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza avanzato che eccelle nelle applicazioni ad alte prestazioni, offrendo un'eccezionale efficienza e affidabilità. Progettato nell'ambito della serie OptiMOS 6, presenta caratteristiche elettriche impressionanti, stabilendo un nuovo standard per la tecnologia MOSFET. Grazie al test a valanga al 100%, gli utenti possono fidarsi della sua robustezza, sia che venga utilizzato in applicazioni di gestione dell'alimentazione che di controllo del motore. Inoltre, la conformità alla direttiva RoHS e l'assenza di alogeni garantiscono il rispetto di rigorosi standard ambientali, rendendolo una scelta intelligente per i progetti eco-compatibili.

Progettazione a canale N per applicazioni a livello logico

Eccezionale resistenza termica per la dissipazione del calore

Progettato per un'efficienza di commutazione rapida

Valanga valutata per l'affidabilità sotto sforzo

Privo di Pb e conforme alla normativa RoHS per un maggiore rispetto dell'ambiente

La costruzione senza alogeni soddisfa gli standard di sicurezza

Certificazione JEDEC per prestazioni industriali

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