MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 0.86 mΩ Miglioramento, 447 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Superficie IQDH88N06LM5CGATMA1

Codice RS:: 284-945
Codice costruttore:: IQDH88N06LM5CGATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 0.86 mΩ Miglioramento, 447 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Superficie IQDH88N06LM5CGATMA1

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Codice RS:: 284-945
Codice costruttore:: IQDH88N06LM5CGATMA1
Costruttore:: Infineon

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	447A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	PG-TTFN-9
	Serie	OptiMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	9
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.86mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	333W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	76nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS, IEC61249-2-21
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 447A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package PG-TTFN-9
	Serie OptiMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 9
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.86mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 333W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 76nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS, IEC61249-2-21
	Standard automobilistico No

Datasheet - IQDH88N06LM5CGATMA1

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS 5, un MOSFET a canale N ad alte prestazioni progettato per fornire un'efficienza e un'affidabilità eccezionali per le applicazioni industriali. Utilizzando la tecnologia a semiconduttore avanzata, questo componente offre una gestione termica superiore e una bassa resistenza all'accensione, il che lo rende ideale per le soluzioni di conversione di potenza. Con il suo elevato valore energetico in caso di valanga e la convalida rigorosa rispetto agli standard JEDEC, è possibile affidarsi a questo prodotto per soddisfare rigorose esigenze operative mantenendo al contempo la sicurezza e la durata.

Resistenza termica ottimizzata per il raffreddamento

Qualificato per l'affidabilità industriale

Placcatura al piombo senza Pb per un maggiore rispetto dell'ambiente

I bassi requisiti di pilotaggio del gate semplificano i circuiti

Design robusto per correnti di drenaggio elevate

100% testato in valanga per l'affidabilità

Pacchetto compatto per una facile integrazione

MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 0.86 mΩ Miglioramento, 447 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Superficie IQDH88N06LM5CGATMA1

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