MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 0.86 mΩ Miglioramento, 447 A, 9 Pin, PG-TTFN-9, Superficie IQDH88N06LM5CGATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-945
Codice costruttore:
IQDH88N06LM5CGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

447A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

9

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.86mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

76nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, IEC61249-2-21

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS 5, un MOSFET a canale N ad alte prestazioni progettato per fornire un'efficienza e un'affidabilità eccezionali per le applicazioni industriali. Utilizzando la tecnologia a semiconduttore avanzata, questo componente offre una gestione termica superiore e una bassa resistenza all'accensione, il che lo rende ideale per le soluzioni di conversione di potenza. Con il suo elevato valore energetico in caso di valanga e la convalida rigorosa rispetto agli standard JEDEC, è possibile affidarsi a questo prodotto per soddisfare rigorose esigenze operative mantenendo al contempo la sicurezza e la durata.

Resistenza termica ottimizzata per il raffreddamento

Qualificato per l'affidabilità industriale

Placcatura al piombo senza Pb per un maggiore rispetto dell'ambiente

I bassi requisiti di pilotaggio del gate semplificano i circuiti

Design robusto per correnti di drenaggio elevate

100% testato in valanga per l'affidabilità

Pacchetto compatto per una facile integrazione

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