MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 132 A, 8 Pin, PG-WHSON-8, Superficie IQE030N06NM5SCATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-760
Codice costruttore:
IQE030N06NM5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

132A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PG-WHSON-8

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon con transistor di potenza optimos 5 è progettato per eccellere nelle applicazioni di raddrizzamento sincrono, offrendo prestazioni ed efficienza senza precedenti. Con un design robusto e le capacità di gestione termica ART, questo MOSFET di potenza garantisce un funzionamento affidabile in ambienti difficili. La sua superiore resistenza termica ne fa una scelta privilegiata per diverse applicazioni industriali, garantendo il funzionamento dei sistemi con la massima affidabilità e la minima perdita di potenza. Completamente conforme alle normative RoHS, questo componente privilegia l'ecocompatibilità pur mantenendo un'eccezionale funzionalità.

Raddrizzamento sincrono ad alta efficienza

Configurazione a N canali per prestazioni efficaci

100% di affidabilità in valanga

Materiali privi di alogeni per uno smaltimento più sicuro

Supporto di un'ampia gamma di temperature industriali

La minima resistenza di stato riduce la perdita di potenza

Conforme a RoHS per la sostenibilità ambientale

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