MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 2.2 mΩ Miglioramento, 151 A, 8 Pin, PG-WHSON-8, Superficie IQE022N06LM5SCATMA1
- Codice RS:
- 284-755
- Codice costruttore:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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| 100 - 495 | 2,024 € | 10,12 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 284-755
- Codice costruttore:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 151A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 26nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 151A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 26nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS 5, un MOSFET altamente efficiente progettato per soddisfare le esigenze delle applicazioni avanzate di gestione dell'alimentazione. Con una capacità di dissipazione della potenza che gli consente di operare in modo affidabile in condizioni di forte intensità, questo transistor di potenza garantisce un'efficienza e una gestione termica ottimali. La sua struttura priva di Pb e conforme alla RoHS ne conferma l'utilizzabilità in applicazioni eco-sensibili, mentre l'assenza di alogeni ne aumenta l'adattabilità in vari settori. Completamente qualificato secondo gli standard JEDEC per le applicazioni industriali, è un componente affidabile per gli ingegneri che cercano soluzioni affidabili e ad alte prestazioni.
Ottimizzato per la gestione dell'energia
Supporta il raddrizzamento sincrono negli SMPS
Canale N con compatibilità a livello logico
Resistenza molto bassa per le prestazioni termiche
Resistenza termica superiore per garantire l'affidabilità
100% testato in valanga per garantire il funzionamento
Conforme alle normative ambientali
Validazione completa per uso industriale
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