MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 99 A, 8 Pin, PG-TSON-8, Superficie IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Codice RS:
- 284-752
- Codice costruttore:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 284-752
- Codice costruttore:
- IQE022N06LM5CGSCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 99A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | PG-TSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 99A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package PG-TSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza progettato per garantire elevate prestazioni negli alimentatori a commutazione, assicurando affidabilità nelle applicazioni più complesse. Progettato all'interno della serie OptiMOS 5, offre un'eccezionale efficienza e una bassa resistenza all'accensione, il che lo rende una scelta ideale per la rettifica sincrona. Grazie alla sua struttura priva di Pb e conforme alla direttiva RoHS, il prodotto non solo soddisfa i più recenti standard ambientali, ma assicura anche prestazioni robuste in condizioni diverse. Questo transistor è dotato di gestione termica avanzata ed è in grado di resistere a valanghe, garantendo un funzionamento più sicuro e una maggiore durata in ambienti critici. La sua capacità di pilotaggio a livello logico consente una perfetta integrazione in un'ampia gamma di sistemi elettronici, a ulteriore dimostrazione della sua versatilità e stabilità di prestazioni.
Ottimizzato per la conversione di potenza ad alta efficienza
Bassa resistenza per prestazioni migliori
Design privo di Pb per la conformità ambientale
Testato contro le valanghe per una maggiore affidabilità
Il pilotaggio a livello logico semplifica l'interfacciamento a bassa tensione
Resistenza termica per una gestione efficiente del calore
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