MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.36 mΩ Miglioramento, 656 A, 12 Pin, PG-TSON-12, Superficie IQFH36N04NM6ATMA1

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Codice RS:
348-840
Codice costruttore:
IQFH36N04NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

656A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS-TM6

Tipo di package

PG-TSON-12

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.36mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
AT
Il MOSFET di potenza Infineon da 40 V a livello normale è disponibile nel nostro ultimo pacchetto PQFN 8x6 mm2 innovativo e compatto, basato su clip, che consente correnti e livelli di potenza molto elevati. Il componente offre il miglior valore di RDS(on) del settore, pari a 0,36 mΩ, abbinato a prestazioni termiche eccezionali.

Perdite di conduzione ridotte al minimo

Commutazione rapida

Riduzione della sovra-estensione di tensione

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