MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.36 mΩ Miglioramento, 656 A, 12 Pin, PG-TSON-12, Superficie IQFH36N04NM6ATMA1

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Codice RS:
348-840
Codice costruttore:
IQFH36N04NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

656A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS-TM6

Tipo di package

PG-TSON-12

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

12

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.36mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
AT
Il MOSFET di potenza Infineon da 40 V a livello normale è disponibile nel nostro ultimo pacchetto PQFN 8x6 mm2 innovativo e compatto, basato su clip, che consente correnti e livelli di potenza molto elevati. Il componente offre il miglior valore di RDS(on) del settore, pari a 0,36 mΩ, abbinato a prestazioni termiche eccezionali.

Perdite di conduzione ridotte al minimo

Commutazione rapida

Riduzione della sovra-estensione di tensione

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