Mezzo ponte Moduli MOSFET Infineon, canale Canale N, 8.3 mΩ 750 V, 620 A Miglioramento, PG-TSON-12, Morsetto a vite, 30
- Codice RS:
- 762-980
- Codice costruttore:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
2004,42 €
(IVA esclusa)
2445,39 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 6 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 + | 2.004,42 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 762-980
- Codice costruttore:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Moduli MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 620A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 750V | |
| Tipo di package | PG-TSON-12 | |
| Serie | HybridPACK | |
| Tipo montaggio | Morsetto a vite | |
| Numero pin | 30 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione diretta Vf | 6.73V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1.5μC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 20mW | |
| Configurazione transistor | Mezzo ponte | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Moduli MOSFET | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 620A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 750V | ||
Tipo di package PG-TSON-12 | ||
Serie HybridPACK | ||
Tipo montaggio Morsetto a vite | ||
Numero pin 30 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione diretta Vf 6.73V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.5μC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 20mW | ||
Configurazione transistor Mezzo ponte | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- DE
Il modulo HybridPACK Drive G2 Infineon utilizza MOSFET in carburo di silicio (SiC), che offrono una tensione massima di 750 V e una corrente nominale di 620 A. Il suo design è caratterizzato da una bassa resistenza all'accensione, perdite di commutazione minime e una robusta capacità di isolamento di 4,25 kV. Progettato per prestazioni elevate, mantiene temperature d'esercizio fino a 200 °C.
Design compatto
Elevata densità di potenza
Piastra di base PinFin con raffreddamento diretto
Diodo di rilevamento della temperatura integrato
Tecnologia di contatto PressFIT
Conforme alla direttiva RoHS, senza piombo
Link consigliati
- Mezzo ponte Moduli MOSFET Infineon 8.3 mΩ 1200 V PG-TSDSO 22
- Mezzo ponte Moduli MOSFET Infineon 8.3 mΩ 1200 V EasyPACK 22
- MOSFET di potenza Infineon 0.61 mΩ Miglioramento 12 Pin Montaggio
- MOSFET di potenza Infineon 0.99 mΩ Miglioramento 12 Pin Montaggio
- MOSFET di potenza Infineon 0.86 mΩ Miglioramento 12 Pin Montaggio
- MOSFET di potenza Infineon 0.68 mΩ Miglioramento 12 Pin Montaggio
- 1 MOSFET Infineon PG-TSON-8 8 Pin ISC030N12NM6ATMA1
- MOSFET Infineon 13 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie ISC130N20NM6ATMA1
