Mezzo ponte Moduli MOSFET Infineon, canale N, 8.3 mΩ 750 V, 620 A Miglioramento, PG-TSON-12, Morsetto a vite, 30 Pin

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Codice RS:
762-980
Codice costruttore:
FS01MR08A8MA2CHPSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

Moduli MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

620A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

750V

Tipo di package

PG-TSON-12

Serie

HybridPACK

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Numero pin

30

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-23V

Tensione diretta Vf

6.73V

Dissipazione di potenza massima Pd

20mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.5μC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Mezzo ponte

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il modulo HybridPACK Drive G2 Infineon utilizza MOSFET in carburo di silicio (SiC), che offrono una tensione massima di 750 V e una corrente nominale di 620 A. Il suo design è caratterizzato da una bassa resistenza all'accensione, perdite di commutazione minime e una robusta capacità di isolamento di 4,25 kV. Progettato per prestazioni elevate, mantiene temperature d'esercizio fino a 200 °C.

Design compatto

Elevata densità di potenza

Piastra di base PinFin con raffreddamento diretto

Diodo di rilevamento della temperatura integrato

Tecnologia di contatto PressFIT

Conforme alla direttiva RoHS, senza piombo

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