MOSFET di potenza Infineon, canale Canale N 60 V, 0.86 mΩ Miglioramento, 394 A, 12 Pin, PG-TSON-12, Superficie
- Codice RS:
- 762-985
- Codice costruttore:
- IQFH86N06NM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Immagine rappresentativa della gamma
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
6,58 €
(IVA esclusa)
8,03 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 14 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,58 € |
| 10 - 99 | 4,40 € |
| 100 - 499 | 3,18 € |
| 500 - 999 | 3,02 € |
| 1000 + | 2,81 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 762-985
- Codice costruttore:
- IQFH86N06NM5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 394A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PG-TSON-12 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 12 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.86mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 137nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 6mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 8mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 394A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PG-TSON-12 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 12 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.86mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 137nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 6mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 8mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
Il transistor OptiMOS 5Power di Infineon, 60 V, è ottimizzato per azionamenti a bassa tensione, alimentazione a batteria e applicazioni di raddrizzamento sincrono. Completamente qualificato in conformità a JEDEC per le applicazioni industriali.
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Resistenza termica superiore
Canale N
Placcatura senza piombo, conforme alla direttiva RoHS
Link consigliati
- MOSFET di potenza Infineon 0.68 mΩ Miglioramento 12 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Infineon 0.61 mΩ Miglioramento 12 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Infineon 0.99 mΩ Miglioramento 12 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 0.36 mΩ Miglioramento 12 Pin Superficie IQFH36N04NM6ATMA1
- Transistor di potenza Infineon 0.55 mΩ Miglioramento 12 Pin Superficie
- Mezzo ponte Moduli MOSFET Infineon 8.3 mΩ 750 V PG-TSON-12 30
- 1 MOSFET Infineon PG-TSON-8 8 Pin ISC030N12NM6ATMA1
- MOSFET Infineon 0.86 mΩ Miglioramento 9 Pin Superficie IQDH88N06LM5CGATMA1