MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 1.73 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
188-8289
Codice costruttore:
STD5N80K5
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.73Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.17mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione è progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K5 basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una drastica riduzione della resistenza all'accensione e della carica del gate ultra-bassa per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

Area RDS(ON) x più bassa del settore

Il miglior FOM del settore (valore del merito)

Carica gate ultra-bassa

Protezione Zener

Applications

Applicazioni di commutazione

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