MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 3.5 Ω Miglioramento, 3 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD4NK80ZT4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-900
Codice costruttore:
STD4NK80ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

SuperMESH

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.1mm

Larghezza

6.6 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è un dispositivo ad alta tensione con canale N protetto da Zener sviluppato utilizzando la tecnologia SuperMESH, un'ottimizzazione del consolidato PowerMESH. Oltre a una significativa riduzione della resistenza on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.

Carica gate ridotta al minimo

Capacità intrinseca molto bassa

Protezione Zener

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