MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,5 Ω, 3 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 168-6107
Codice costruttore:: STP4NK80Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,5 Ω, 3 A, TO-220, Su foro

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

0,923 €

(IVA esclusa)

1,126 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 - 50	0,923 €	46,15 €
100 - 450	0,717 €	35,85 €
500 - 950	0,606 €	30,30 €
1000 - 4950	0,507 €	25,35 €
5000 +	0,478 €	23,90 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-6107
Codice costruttore:: STP4NK80Z
Costruttore:: STMicroelectronics

STP4NK80Z-STP4NK80ZFP Zener-ProtectedSuperMESH PowerMOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	800 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	80 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.6mm
Carica gate tipica @ Vgs	22,5 nC a 10 V
Lunghezza	10.4mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,5 Ω, 3 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

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