MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,5 Ω, 3 A, TO-220FP, Su foro

Codice RS:: 168-7088
Codice costruttore:: STF4N80K5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,5 Ω, 3 A, TO-220FP, Su foro

450 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)

1,078 €

(IVA esclusa)

1,315 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per stecca*
50 - 50	1,078 €	53,90 €
100 +	1,013 €	50,65 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 168-7088
Codice costruttore:: STF4N80K5
Costruttore:: STMicroelectronics

STD4N80K5, STF4N80K5, STP4N80K5, N-Channel 800V, 2.1 Ohm typ., 3A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Codice RS:: 168-7088
Codice costruttore:: STF4N80K5
Costruttore:: STMicroelectronics

STD4N80K5, STF4N80K5, STP4N80K5, N-Channel 800V, 2.1 Ohm typ., 3A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	800 V
Serie	MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo di package	TO-220FP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	20 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.6mm
Lunghezza	10.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	10,5 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.4mm

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	800 V
Serie	MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo di package	TO-220FP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	20 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.6mm
Lunghezza	10.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	10,5 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.4mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,5 Ω, 3 A, TO-220FP, Su foro

MDmesh™ a canale N serie M5, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MDmesh™ a canale N serie M5, SuperMESH5™, STMicroelectronics

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