MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,5 Ω, 3 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 792-6097
Codice costruttore:: STP4N80K5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,5 Ω, 3 A, TO-220, Su foro

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Unità	Per unità	Per confezione**
5 - 20	1,45 €	7,25 €
25 - 45	1,378 €	6,89 €
50 - 120	1,238 €	6,19 €
125 - 245	1,116 €	5,58 €
250 +	1,058 €	5,29 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 792-6097
Codice costruttore:: STP4N80K5
Costruttore:: STMicroelectronics

STD4N80K5, STF4N80K5, STP4N80K5, N-Channel 800V, 2.1 Ohm typ., 3A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	800 V
Serie	MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	60 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.6mm
Lunghezza	10.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	10,5 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Altezza	15.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,5 Ω, 3 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N serie M5, SuperMESH5™, STMicroelectronics

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