MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,5 Ω, 3 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 792-6097
Codice costruttore:: STP4N80K5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,5 Ω, 3 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 792-6097
Codice costruttore:: STP4N80K5
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MDmesh™ a canale N serie M5, SuperMESH5™, STMicroelectronics

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	800 V
Tipo di package	TO-220
Serie	MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	60 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	4.6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	10.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	10,5 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Altezza	15.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C