MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 1.55 Ω Miglioramento, 3.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD5N60DM2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
193-5390
Codice costruttore:
STD5N60DM2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

3.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Serie

STD5N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.55Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.3nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.2 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM2. Offre una carica di recupero molto bassa (Qrr) e tempo (trr) combinati con bassa RDS(on), il che lo rende adatto per i convertitori ad alta efficienza più impegnativi e ideale per topologie a ponte e convertitori a sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

Bassa resistenza in stato attivo

Capacità dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

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