MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 100 V, 0.0195 Ω Miglioramento, 60 A, 2 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
719-650
Codice costruttore:
STD70N10F4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

STP

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0195Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

85nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.2mm

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.6mm

La tecnologia STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET di STMicroelectronics è tra i più recenti miglioramenti, che sono stati appositamente progettati per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo, con una nuova struttura del gate, che fornisce prestazioni di commutazione superiori.

Eccezionale capacità dv/dt

Resistenza on RDS(on) estremamente bassa

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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