MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 100 V, 0.0195 Ω Miglioramento, 60 A, 2 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
719-650
Codice costruttore:
STD70N10F4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

STP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0195Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

85nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.6mm

Lunghezza

6.2mm

La tecnologia STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET di STMicroelectronics è tra i più recenti miglioramenti, che sono stati appositamente progettati per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo, con una nuova struttura del gate, che fornisce prestazioni di commutazione superiori.

Eccezionale capacità dv/dt

Resistenza on RDS(on) estremamente bassa

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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