MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N 100 V, 0.0195 Ω Miglioramento, 60 A, 2 Pin, TO-252, Superficie STD70N10F4

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Codice RS:
719-650
Codice costruttore:
STD70N10F4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

STP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0195Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

85nC

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.6mm

Lunghezza

6.2mm

La tecnologia STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET di STMicroelectronics è tra i più recenti miglioramenti, che sono stati appositamente progettati per ridurre al minimo la resistenza allo stato attivo, con una nuova struttura del gate, che fornisce prestazioni di commutazione superiori.

Eccezionale capacità dv/dt

Resistenza on RDS(on) estremamente bassa

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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