MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale P 700 V, 350 mΩ Miglioramento, 6 A, 2 Pin, TO-252, Montaggio

Codice RS:: 719-638
Codice costruttore:: SGT350R70GTK
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale P 700 V, 350 mΩ Miglioramento, 6 A, 2 Pin, TO-252, Montaggio

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Codice costruttore:: SGT350R70GTK
Costruttore:: STMicroelectronics

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo di canale	Canale P
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id	6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	700V
	Serie	G-HEMT
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Montaggio superficiale
	Numero pin	2
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	350mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	47W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	1.5nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	2.4mm
	Lunghezza	6.2mm

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	Marchio STMicroelectronics
	Tipo di canale Canale P
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Massima corrente di scarico continua Id 6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V
	Serie G-HEMT
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Montaggio superficiale
	Numero pin 2
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 350mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 47W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.5nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 2.4mm
	Lunghezza 6.2mm

Datasheet - SGT350R70GTK

Paese di origine:: CN

Il transistor PowerGaN e-mode 700 V 6 A STMicroelectronics combinato con una consolidata tecnologia di imballaggio. Il dispositivo G-HEMT risultante fornisce perdite di conduzione estremamente basse, capacità di corrente elevata e funzionamento di commutazione ultrarapido per consentire un'elevata densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili. Consigliato per le applicazioni QR di consumo con accensione a corrente zero.

Modalità di potenziamento normalmente off transistor

Velocità di commutazione molto elevata

Elevata capacità di gestione della potenza

Capacità estremamente basse

Pad di sorgente Kelvin per una guida ottimale del cancello

Carica di recupero inverso zero

Protezione ESD

MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale P 700 V, 350 mΩ Miglioramento, 6 A, 2 Pin, TO-252, Montaggio

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