MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale P 700 V, 350 mΩ Miglioramento, 6 A, 2 Pin, TO-252, Montaggio

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Codice RS:
719-638
Codice costruttore:
SGT350R70GTK
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

G-HEMT

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

350mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

47W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-1.4 to 7 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.7 mm

Altezza

2.4mm

Lunghezza

6.2mm

Paese di origine:
CN

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