MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale P 700 V, 350 mΩ Miglioramento, 6 A, 2 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
719-637
Codice costruttore:
SGT350R70GTK
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-252

Serie

G-HEMT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

350mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

47W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-1.4, 7V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.2mm

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.7mm

Paese di origine:
CN
Il transistor PowerGaN e-mode 700 V 6 A STMicroelectronics combinato con una consolidata tecnologia di imballaggio. Il dispositivo G-HEMT risultante fornisce perdite di conduzione estremamente basse, capacità di corrente elevata e funzionamento di commutazione ultrarapido per consentire un'elevata densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili. Consigliato per le applicazioni QR di consumo con accensione a corrente zero.

Modalità di potenziamento normalmente off transistor

Velocità di commutazione molto elevata

Elevata capacità di gestione della potenza

Capacità estremamente basse

Pad di sorgente Kelvin per una guida ottimale del cancello

Carica di recupero inverso zero

Protezione ESD

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