Transistor STMicroelectronics, canale Canale P 700 V, 190 mΩ Miglioramento, 11.5 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie

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Codice RS:
719-635
Codice costruttore:
SGT190R70ILB
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale P

Tipo prodotto

Transistor

Massima corrente di scarico continua Id

11.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

G-HEMT

Tipo di package

PowerFLAT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-6, 7V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

8.1mm

Altezza

0.9mm

Lunghezza

8.1mm

Paese di origine:
CN
Il transistor PowerGaN e-mode da 700 V 11,5 A STMicroelectronics combinato con una tecnologia di imballaggio consolidata. Il dispositivo G-HEMT risultante fornisce perdite di conduzione estremamente basse, capacità di corrente elevata e funzionamento di commutazione ultrarapido per consentire un'elevata densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.

Modalità di potenziamento normalmente off transistor

Velocità di commutazione molto elevata

Elevata capacità di gestione della potenza

Capacità estremamente basse

Pad di sorgente Kelvin per una guida ottimale del cancello

Carica di recupero inverso zero

Protezione ESD

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