Transistor STMicroelectronics, canale Canale P 700 V, 190 mΩ Miglioramento, 11.5 A, 8 Pin, PowerFLAT, Montaggio

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 unità*

1,14 €

(IVA esclusa)

1,39 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 300 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 +1,14 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
719-635
Codice costruttore:
SGT190R70ILB
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

Transistor

Tipo di canale

Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

11.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

G-HEMT

Tipo di package

PowerFLAT

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.9mm

Lunghezza

8.1mm

Paese di origine:
CN
Il transistor PowerGaN e-mode da 700 V 11,5 A STMicroelectronics combinato con una tecnologia di imballaggio consolidata. Il dispositivo G-HEMT risultante fornisce perdite di conduzione estremamente basse, capacità di corrente elevata e funzionamento di commutazione ultrarapido per consentire un'elevata densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.

Modalità di potenziamento normalmente off transistor

Velocità di commutazione molto elevata

Elevata capacità di gestione della potenza

Capacità estremamente basse

Pad di sorgente Kelvin per una guida ottimale del cancello

Carica di recupero inverso zero

Protezione ESD

Link consigliati