Transistor STMicroelectronics, canale Canale P 700 V, 70 mΩ Miglioramento, 26 A, 13 Pin, TO-LL, Superficie SGT070R70HTO

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Codice RS:
719-630
Codice costruttore:
SGT070R70HTO
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

Transistor

Tipo di canale

Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-LL

Serie

G-HEMT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

13

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-6, 7V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

231W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

10.4mm

Lunghezza

10.58mm

Altezza

2.4mm

Paese di origine:
CN
Il transistor PowerGaN e-mode 700 V 26 A STMicroelectronics combinato con una tecnologia di imballaggio consolidata. Il dispositivo G-HEMT risultante fornisce perdite di conduzione estremamente basse, capacità di corrente elevata e funzionamento di commutazione ultrarapido per consentire un'elevata densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.

Modalità di potenziamento normalmente off transistor

Velocità di commutazione molto elevata

Elevata capacità di gestione della potenza

Capacità estremamente basse

Pad di sorgente Kelvin per una guida ottimale del cancello

Carica di recupero inverso zero

Protezione ESD

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