Transistor STMicroelectronics, canale Canale P 700 V, 80 mΩ Miglioramento, 29 A, 8 Pin, PowerFLAT, Montaggio
- Codice RS:
- 719-632
- Codice costruttore:
- SGT080R70ILB
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- 719-632
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- SGT080R70ILB
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- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Transistor | |
| Tipo di canale | Canale P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 29A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Serie | G-HEMT | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 80mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 188W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -6 to 7 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 8.1 mm | |
| Lunghezza | 8.1mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Transistor | ||
Tipo di canale Canale P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 29A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Serie G-HEMT | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 188W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -6 to 7 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 8.1 mm | ||
Lunghezza 8.1mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
- Paese di origine:
- CN
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