MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo P 60 V, 160 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1050,00 €

(IVA esclusa)

1275,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 28 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,42 €1.050,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-8005
Codice costruttore:
STD10P6F6
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

STripFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

30W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.38mm

Larghezza

7.45 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza STripFET™ a canale P, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


Link consigliati