MOSFET STMicroelectronics, canale N, 160 mΩ, 20 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

5940,00 €

(IVA esclusa)

7247,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 ottobre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +2,376 €5.940,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
261-5482
Codice costruttore:
STD65N160M9
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a super giunzione, adatta per MOSFET a media/alta tensione con RDS(on) molto basso per area. La tecnologia M9 a base di silicio trae vantaggio da un processo di produzione multi-drenaggio che consente una struttura del dispositivo migliorata.

Maggiore valore nominale VDSS

Eccellenti prestazioni di commutazione

Facile da azionare

Testato al 100% contro le valanghe

Protezione Zener

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.