MOSFET STMicroelectronics, canale N, 160 mΩ, 20 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD65N160M9

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
261-5483
Codice costruttore:
STD65N160M9
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.1mm

Larghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a super giunzione, adatta per MOSFET a media/alta tensione con RDS(on) molto basso per area. La tecnologia M9 a base di silicio trae vantaggio da un processo di produzione multi-drenaggio che consente una struttura del dispositivo migliorata.

Maggiore valore nominale VDSS

Eccellenti prestazioni di commutazione

Facile da azionare

Testato al 100% contro le valanghe

Protezione Zener

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