MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo P 60 V, 160 mΩ Miglioramento, 3 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

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Codice RS:
165-5345
Codice costruttore:
STN3P6F6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

STripFET

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.7 mm

Altezza

1.8mm

Lunghezza

6.7mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza STripFET™ a canale P, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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